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Il ruolo critico dei substrati SiC e della crescita dei cristalli nell'industria dei semiconduttori

All’interno della catena industriale del carburo di silicio (SiC), i fornitori di substrati detengono un’influenza significativa, principalmente grazie alla distribuzione del valore. I substrati SiC rappresentano il 47% del valore totale, seguiti dagli strati epitassiali con il 23%, mentre la proget......

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Applicazione di SiC e GaN nei veicoli elettrici

I MOSFET SiC sono transistor che offrono elevata densità di potenza, efficienza migliorata e bassi tassi di guasto alle alte temperature. Questi vantaggi dei MOSFET SiC apportano numerosi vantaggi ai veicoli elettrici (EV), tra cui un'autonomia di guida più lunga, una ricarica più rapida e veicoli e......

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Semiconduttori di quarta generazione Ossido di gallio/β-Ga2O3

La prima generazione di materiali semiconduttori è rappresentata principalmente dal silicio (Si) e dal germanio (Ge), che hanno iniziato ad emergere negli anni '50. All'inizio il germanio era dominante e veniva utilizzato principalmente nei transistor e nei fotorilevatori a bassa tensione, bassa fre......

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Crescita epitassiale priva di difetti e lussazioni disadattate

La crescita epitassiale senza difetti si verifica quando un reticolo cristallino ha costanti reticolari quasi identiche a un altro. La crescita avviene quando i siti reticolari dei due reticoli nella regione dell'interfaccia sono approssimativamente corrispondenti, il che è possibile con un piccolo ......

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Processo di ossidazione

La fase più elementare di tutti i processi è il processo di ossidazione. Il processo di ossidazione consiste nel posizionare il wafer di silicio in un'atmosfera di ossidanti come ossigeno o vapore acqueo per un trattamento termico ad alta temperatura (800~1200 ℃) e sulla superficie del wafer di sili......

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Perché l'epitassia del nitruro di glilio (GaN) non cresce su un substrato GaN?

La crescita dell’epitassia del GaN sul substrato del GaN rappresenta una sfida unica, nonostante le proprietà superiori del materiale rispetto al silicio. L'epitassia GaN offre vantaggi significativi in termini di ampiezza del gap di banda, conduttività termica e campo elettrico di rottura rispett......

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