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Perché utilizzare la pulizia ad ultrasuoni nella produzione di semiconduttori

Perché utilizzare la pulizia ad ultrasuoni nella produzione di semiconduttori

Durante la pulizia dei wafer, la pulizia ad ultrasuoni e la pulizia megasonica vengono comunemente utilizzate per rimuovere le particelle dalla superficie del wafer.

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Come viene applicata la ceramica al carburo di silicio e qual è il suo futuro in termini di resistenza all'usura e alle alte temperature?

Come viene applicata la ceramica al carburo di silicio e qual è il suo futuro in termini di resistenza all'usura e alle alte temperature?

Le ceramiche al carburo di silicio (SiC), note per la loro elevata resistenza, durezza, resistenza all'usura, resistenza alla corrosione e stabilità alle alte temperature, hanno dimostrato un immenso potenziale e valore in numerosi settori industriali sin dalla loro introduzione.

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Lo studio sulla distribuzione della resistività elettrica nei cristalli 4H-SiC di tipo n

Lo studio sulla distribuzione della resistività elettrica nei cristalli 4H-SiC di tipo n

Il 4H-SiC, in quanto materiale semiconduttore di terza generazione, è rinomato per l'ampio intervallo di banda, l'elevata conduttività termica e l'eccellente stabilità chimica e termica, che lo rendono estremamente prezioso nelle applicazioni ad alta potenza e ad alta frequenza.

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Cos'è il sistema del forno di crescita dei cristalli

Cos'è il sistema del forno di crescita dei cristalli

Il forno per la crescita dei cristalli singoli è composto da sei sistemi chiave che lavorano in armonia per garantire una crescita dei cristalli efficiente e di alta qualità.

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Infineon presenta il primo wafer GaN di potenza da 300 mm al mondo

Infineon presenta il primo wafer GaN di potenza da 300 mm al mondo

Recentemente, Infineon Technologies ha annunciato lo sviluppo di successo della prima tecnologia al mondo per wafer al nitruro di gallio (GaN) da 300 mm.

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Produzione di silicio monocristallino

Produzione di silicio monocristallino

I tre metodi principali utilizzati nella produzione del silicio monocristallino sono il metodo Czochralski (CZ), il metodo Kyropoulos e il metodo Float Zone (FZ).

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