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Notizia
Introduzione ai dispositivi di potenza al carburo di silicio
I dispositivi di potenza in carburo di silicio (SiC) sono dispositivi semiconduttori realizzati con materiali in carburo di silicio, utilizzati principalmente in applicazioni elettroniche ad alta frequenza, alta temperatura, alta tensione e alta potenza. Rispetto ai tradizionali dispositivi di poten......
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Tecnologia dell'epitassia del wafer al carburo di silicio
Il carburo di silicio utilizza generalmente il metodo PVT, con una temperatura superiore a 2000 gradi, un ciclo di lavorazione lungo e una produzione bassa, quindi il costo dei substrati di carburo di silicio è molto elevato.
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Una breve storia del carburo di silicio e applicazioni dei rivestimenti in carburo di silicio
La storia del carburo di silicio (SiC) risale al 1891, quando Edward Goodrich Acheson lo scoprì accidentalmente mentre tentava di sintetizzare diamanti artificiali. Acheson riscaldò una miscela di argilla (alluminosilicato) e coke in polvere (carbonio) in un forno elettrico. Al posto dei diamanti at......
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Difficoltà nella preparazione del GaN
Come materiale semiconduttore di terza generazione, il nitruro di gallio viene spesso paragonato al carburo di silicio. Il nitruro di gallio dimostra ancora la sua superiorità con il suo ampio gap di banda, l'elevata tensione di rottura, l'elevata conduttività termica, l'elevata velocità di deriva d......
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Introduzione ai semiconduttori di terza generazione: GaN e tecnologie epitassiali correlate
I materiali GaN hanno acquisito importanza in seguito all'assegnazione del Premio Nobel per la fisica 2014 per i LED blu. Entrati inizialmente sotto gli occhi del pubblico attraverso le applicazioni di ricarica rapida nell’elettronica di consumo, anche gli amplificatori di potenza e i dispositivi RF......
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Substrato vs. epitassia: ruoli chiave nella produzione di semiconduttori
Nei campi della tecnologia dei semiconduttori e della microelettronica, i concetti di substrati ed epitassia rivestono un'importanza significativa. Svolgono un ruolo fondamentale nel processo di produzione dei dispositivi a semiconduttore. Questo articolo approfondirà le differenze tra i substrati ......
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