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Cos'è il wafer SiC di tipo P?

Un wafer di carburo di silicio (SiC) di tipo P è un substrato semiconduttore drogato con impurità per creare una conduttività di tipo P (positiva). Il carburo di silicio è un materiale semiconduttore ad ampia banda proibita che offre eccezionali proprietà elettriche e termiche, rendendolo adatto a d......

Perché scegliere suscettori di grafite rivestiti in SiC?

Il suscettore di grafite è una delle parti essenziali dell'apparecchiatura MOCVD, è il supporto e il riscaldatore del substrato del wafer. Le sue proprietà di stabilità termica e uniformità termica giocano un ruolo decisivo nella qualità della crescita epitassiale del wafer, che determina direttamen......

Qual è il processo di SiC epitassiale?

Nel campo dell'alta tensione, in particolare per i dispositivi ad alta tensione superiori a 20.000 V, la tecnologia epitassiale SiC deve ancora affrontare diverse sfide. Una delle principali difficoltà è ottenere un'elevata uniformità, spessore e concentrazione di drogaggio nello strato epitassiale.......

Crescita sostanziale del mercato dei suscettori di grafite rivestita di SiC

MOCVD è l'attrezzatura chiave

Fondi per progetti di semiconduttori

Ogni paese è consapevole dell'importanza dei chip e ora sta accelerando la costruzione del proprio ecosistema della catena di fornitura per la produzione di chip per prevenire un altro problema di carenza di chip. Ma le fonderie avanzate senza progettisti di chip di nuova generazione sarebbero le st......