Notizia

TSMC: il prossimo anno la produzione di test sui rischi di processo a 2 nm

Nel loro rapporto annuale appena pubblicato, il presidente di TSMC Deyin Liu e il CEO Chieh-Jia Wei hanno rivelato i progressi relativi al processo a 2 nm.

Scenari applicativi per strati epitassiali

Sappiamo che ulteriori strati epitassiali devono essere costruiti sopra alcuni substrati di wafer per la fabbricazione di dispositivi, tipicamente dispositivi a emissione di luce a LED, che richiedono strati epitassiali di GaAs sopra substrati di silicio; Gli strati epitassiali di SiC vengono cresci......

Discutere del forno CVD

La Cina è rimasta il più grande mercato di apparecchiature a semiconduttore

Le vendite mondiali di apparecchiature per la produzione di semiconduttori sono aumentate del 5% da 102,6 miliardi di dollari nel 2021 a un record storico di 107,6 miliardi di dollari l'anno scorso, SEMI, l'associazione di settore che rappresenta la catena di fornitura globale di progettazione e pro......

Processo CVD per epitassia wafer SiC

Il processo CVD per l'epitassia del wafer di SiC prevede la deposizione di film di SiC su un substrato di SiC utilizzando una reazione in fase gassosa. I gas precursori del SiC, tipicamente metiltriclorosilano (MTS) ed etilene (C2H4), vengono introdotti in una camera di reazione dove il substrato Si......

Il Giappone ha recentemente limitato le esportazioni di 23 tipi di apparecchiature per la produzione di semiconduttori

Il Giappone ha recentemente limitato le esportazioni di 23 tipi di apparecchiature per la produzione di semiconduttori. L'annuncio ha suscitato increspature in tutto il settore, poiché si prevede che la mossa avrà un impatto significativo sulle catene di approvvigionamento globali per la produzione ......