- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Notizia
Barche SiC contro barche al quarzo: utilizzo attuale e tendenze future nella produzione di semiconduttori
Questo articolo approfondisce l'utilizzo e la traiettoria futura delle imbarcazioni in carburo di silicio (SiC) in relazione alle imbarcazioni al quarzo nell'industria dei semiconduttori, concentrandosi in particolare sulle loro applicazioni nella produzione di celle solari.
Per saperne di più
Wafer epitassiali al nitruro di gallio: un'introduzione al processo di fabbricazione
La crescita del wafer epitassiale al nitruro di gallio (GaN) è un processo complesso, che spesso utilizza un metodo in due fasi. Questo metodo prevede diverse fasi critiche, tra cui la cottura ad alta temperatura, la crescita dello strato tampone, la ricristallizzazione e la ricottura. Controllando ......
Per saperne di più
Qual è la differenza tra wafer epitassiali e diffusi
Sia i wafer epitassiali che quelli diffusi sono materiali essenziali nella produzione di semiconduttori, ma differiscono in modo significativo nei processi di fabbricazione e nelle applicazioni target. Questo articolo approfondisce le principali distinzioni tra questi tipi di wafer.
Per saperne di più
Flusso del processo del nucleo del substrato in carburo di silicio
Il substrato in carburo di silicio è un materiale monocristallino semiconduttore composto composto da due elementi, carbonio e silicio. Ha le caratteristiche di un ampio gap di banda, elevata conduttività termica, elevata intensità di campo di rottura critica e elevato tasso di deriva della saturazi......
Per saperne di più
Il ruolo critico dei substrati SiC e della crescita dei cristalli nell'industria dei semiconduttori
All’interno della catena industriale del carburo di silicio (SiC), i fornitori di substrati detengono un’influenza significativa, principalmente grazie alla distribuzione del valore. I substrati SiC rappresentano il 47% del valore totale, seguiti dagli strati epitassiali con il 23%, mentre la proget......
Per saperne di più
