Il soffione doccia in carburo di silicio Semicorex CVD è un componente essenziale e altamente specializzato nel processo di incisione dei semiconduttori, in particolare nella produzione di circuiti integrati. Con il nostro costante impegno nel fornire prodotti della massima qualità a prezzi competitivi, siamo pronti a diventare il vostro partner a lungo termine in Cina.*
Per saperne di piùInvia richiestaL'anello di rivestimento SiC Semicorex è un componente critico nell'ambiente esigente dei processi di epitassia dei semiconduttori. Con il nostro costante impegno nel fornire prodotti della massima qualità a prezzi competitivi, siamo pronti a diventare il vostro partner a lungo termine in Cina.*
Per saperne di piùInvia richiestaSemicorex presenta il suo suscettore a disco SiC, progettato per migliorare le prestazioni delle apparecchiature per l'epitassia, la deposizione chimica in fase vapore metallo-organica (MOCVD) e il trattamento termico rapido (RTP). Il suscettore del disco SiC meticolosamente progettato offre proprietà che garantiscono prestazioni, durata ed efficienza superiori in ambienti ad alta temperatura e sotto vuoto.**
Per saperne di piùInvia richiestaSemicorex Graphite Thermal Field combina la scienza dei materiali all'avanguardia con una profonda conoscenza dei processi di crescita dei cristalli, offrendo una soluzione innovativa che consente all'industria dei semiconduttori di raggiungere nuovi livelli di prestazioni, efficienza e convenienza.**
Per saperne di piùInvia richiestaSemicorex LPE SiC-Epi Halfmoon è una risorsa indispensabile nel mondo dell'epitassia, fornendo una soluzione solida alle sfide poste dalle alte temperature, dai gas reattivi e dai rigorosi requisiti di purezza.**
Per saperne di piùInvia richiestaLa copertura di rivestimento Semicorex CVD TaC è diventata una tecnologia abilitante fondamentale negli ambienti esigenti all'interno dei reattori epitassia, caratterizzati da alte temperature, gas reattivi e rigorosi requisiti di purezza, che richiedono materiali robusti per garantire una crescita coerente dei cristalli e prevenire reazioni indesiderate.**
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