Nel processo di crescita dei singoli cristalli di SiC e AlN mediante il metodo del trasporto fisico del vapore (PVT), componenti come il crogiolo, il supporto del seme del cristallo e l'anello di guida svolgono un ruolo fondamentale. Durante il processo di preparazione del SiC, il seme cristallino s......
Per saperne di piùIl materiale del substrato SiC è il nucleo del chip SiC. Il processo di produzione del substrato è: dopo aver ottenuto il lingotto di cristallo SiC attraverso la crescita del singolo cristallo; quindi la preparazione del substrato SiC richiede levigatura, arrotondamento, taglio, molatura (assottigli......
Per saperne di piùIl carburo di silicio (SiC) è un materiale che possiede un'eccezionale stabilità termica, fisica e chimica, esibendo proprietà che vanno oltre quelle dei materiali convenzionali. La sua conduttività termica è sorprendente: 84 W/(m·K), ovvero non solo superiore a quella del rame ma anche tre volte su......
Per saperne di piùNel campo in rapida evoluzione della produzione di semiconduttori, anche i più piccoli miglioramenti possono fare una grande differenza quando si tratta di ottenere prestazioni, durata ed efficienza ottimali. Un progresso che sta generando molto entusiasmo nel settore è l’uso del rivestimento TaC (c......
Per saperne di piùL'industria del carburo di silicio coinvolge una catena di processi che includono la creazione del substrato, la crescita epitassiale, la progettazione del dispositivo, la produzione del dispositivo, l'imballaggio e il test. In generale, il carburo di silicio viene creato sotto forma di lingotti, ch......
Per saperne di piùIl carburo di silicio (SiC) ha importanti applicazioni in settori quali l'elettronica di potenza, i dispositivi RF ad alta frequenza e i sensori per ambienti resistenti alle alte temperature grazie alle sue eccellenti proprietà fisico-chimiche. Tuttavia, l'operazione di slicing durante la lavorazion......
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