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Notizie del settore
Eteroepitassia di 3C-SiC: una panoramica
Lo sviluppo del 3C-SiC, un importante politipo di carburo di silicio, riflette il continuo progresso della scienza dei materiali semiconduttori. Negli anni '80 Nishino et al. ha ottenuto per la prima volta una pellicola 3C-SiC spessa 4 μm su un substrato di silicio utilizzando la deposizione chimica......
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Silicio monocristallino e silicio policristallino
Il silicio monocristallino e il silicio policristallino presentano ciascuno vantaggi unici e scenari applicabili. Il silicio monocristallino è adatto per prodotti elettronici e microelettronica ad alte prestazioni grazie alle sue eccellenti proprietà elettriche e meccaniche. Il silicio policristalli......
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Substrato ed epitassia
Nel processo di preparazione del wafer ci sono due collegamenti fondamentali: uno è la preparazione del substrato e l'altro è l'implementazione del processo epitassiale. Il substrato, un wafer accuratamente realizzato in materiale semiconduttore monocristallino, può essere inserito direttamente nel ......
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Wafer di silicio
Il silicio è un materiale solido con determinate proprietà elettriche del semiconduttore e stabilità fisica e fornisce il supporto del substrato per il successivo processo di produzione del circuito integrato. È un materiale chiave per i circuiti integrati a base di silicio. Oltre il 95% dei disposi......
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Flusso del processo del nucleo del substrato in carburo di silicio
Il substrato in carburo di silicio è un materiale monocristallino semiconduttore composto composto da due elementi, carbonio e silicio. Ha le caratteristiche di un ampio gap di banda, elevata conduttività termica, elevata intensità di campo di rottura critica e elevato tasso di deriva della saturazi......
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