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Metodo di crescita dei cristalli GaN
Quando si producono substrati monocristallini GaN di grandi dimensioni, l'HVPE è attualmente la scelta migliore per la commercializzazione. Tuttavia, la concentrazione del vettore posteriore del GaN cresciuto non può essere controllata con precisione.
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GaN cristallo singolo
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Ceramica SiC: il materiale indispensabile per componenti di alta precisione nella produzione di semiconduttori
La produzione di semiconduttori, pietra angolare del moderno progresso tecnologico, è alla costante ricerca di circuiti integrati più piccoli, più veloci e più efficienti. Questa ricerca incessante determina la necessità di processi di produzione sempre più precisi e sofisticati, in cui ogni passagg......
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