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Cina Rivestito in carburo di silicio Produttori, Fornitori, Fabbrica

Il rivestimento SiC è uno strato sottile sul suscettore attraverso il processo di deposizione chimica in fase vapore (CVD). Il materiale in carburo di silicio offre numerosi vantaggi rispetto al silicio, tra cui 10 volte l'intensità del campo elettrico di rottura, 3 volte l'intervallo di banda, che fornisce al materiale resistenza alle alte temperature e agli agenti chimici, eccellente resistenza all'usura e conduttività termica.

Semicorex fornisce un servizio personalizzato, ti aiuta a innovare con componenti che durano più a lungo, riducono i tempi di ciclo e migliorano i rendimenti.

Il rivestimento SiC possiede diversi vantaggi unici

Resistenza alle alte temperature: il suscettore rivestito in SiC CVD può resistere a temperature elevate fino a 1600°C senza subire un significativo degrado termico.

Resistenza chimica: il rivestimento in carburo di silicio offre un'eccellente resistenza a un'ampia gamma di sostanze chimiche, inclusi acidi, alcali e solventi organici.

Resistenza all'usura: il rivestimento SiC fornisce al materiale un'eccellente resistenza all'usura, rendendolo adatto per applicazioni che comportano un'elevata usura.

Conduttività termica: il rivestimento CVD SiC fornisce al materiale un'elevata conduttività termica, rendendolo adatto all'uso in applicazioni ad alta temperatura che richiedono un efficiente trasferimento di calore.

Elevata resistenza e rigidità: il suscettore rivestito in carburo di silicio fornisce al materiale elevata resistenza e rigidità, rendendolo adatto per applicazioni che richiedono elevata resistenza meccanica.

Il rivestimento SiC viene utilizzato in varie applicazioni

Produzione di LED: il suscettore rivestito in SiC CVD viene utilizzato nella produzione di vari tipi di LED, inclusi LED blu e verdi, LED UV e LED UV profondo, grazie alla sua elevata conduttività termica e resistenza chimica.

Supporto per incisione PSS

Suscettore epitassiale LED blu e verde

Suscettore epitassiale LED UV profondo

Comunicazione mobile: il suscettore rivestito in SiC CVD è una parte cruciale dell'HEMT per completare il processo epitassiale GaN-on-SiC.

Portante epitassiale GaN-on-SiC

Suscettore del substrato GaN-on-SiC

Lavorazione dei semiconduttori: il suscettore rivestito in SiC CVD viene utilizzato nell'industria dei semiconduttori per varie applicazioni, tra cui la lavorazione dei wafer e la crescita epitassiale.

Ricevitore a canna

Supporto per incisione ICP

Piastra SiC per processo di incisione ICP

Accettore per MOCVD

Suscettore in silicio monocristallino

Recettore dell'epitassia del carburo di silicio

Componenti in grafite rivestita in SiC

Realizzato in grafite con rivestimento in carburo di silicio (SiC), il rivestimento viene applicato con un metodo CVD a gradi specifici di grafite ad alta densità, in modo che possa funzionare nel forno ad alta temperatura con oltre 3000 °C in atmosfera inerte, 2200 °C sotto vuoto .

Le proprietà speciali e la massa ridotta del materiale consentono velocità di riscaldamento elevate, distribuzione uniforme della temperatura e straordinaria precisione di controllo.

Dati sui materiali del rivestimento Semicorex SiC

Proprietà tipiche	Unità	Valori
Struttura		Fase β dell'FCC
Orientamento	Frazione (%)	111 preferito
Densità apparente	g/cm³	3.21
Durezza	Durezza Vickers	2500
Capacità termica	J kg-1 K-1	640
Espansione termica 100–600 °C (212–1112 °F)	10-6K-1	4.5
Modulo di Young	Gpa (curvatura 4 punti, 1300 ℃)	430
Granulometria	µm	2~10
Temperatura di sublimazione	℃	2700
Forza flessionale	MPa (RT 4 punti)	415
Conduttività termica	(W/mK)	300

Conclusione Il suscettore rivestito in SiC CVD è un materiale composito che combina le proprietà di un suscettore e di carburo di silicio. Questo materiale possiede proprietà uniche, tra cui resistenza alle alte temperature e agli agenti chimici, eccellente resistenza all'usura, elevata conduttività termica ed elevata resistenza e rigidità. Queste proprietà lo rendono un materiale interessante per varie applicazioni ad alta temperatura, tra cui la lavorazione dei semiconduttori, la lavorazione chimica, il trattamento termico, la produzione di celle solari e la produzione di LED.

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Piastra disco stellare di copertura MOCVD per epitassia wafer

Semicorex è un rinomato produttore e fornitore di piastre a disco stellare con copertura MOCVD di alta qualità per epitassia wafer. Il nostro prodotto è appositamente progettato per soddisfare le esigenze dell'industria dei semiconduttori, in particolare per quanto riguarda la crescita dello strato epitassiale sul chip wafer. Il nostro suscettore viene utilizzato come piastra centrale in MOCVD, con un design a forma di ingranaggio o anello. Il prodotto è altamente resistente al calore elevato e alla corrosione, rendendolo ideale per l'uso in ambienti estremi.

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Suscettore MOCVD per crescita epitassiale

Semicorex è un fornitore e produttore leader di suscettore MOCVD per crescita epitassiale. Il nostro prodotto è ampiamente utilizzato nelle industrie dei semiconduttori, in particolare nella crescita dello strato epitassiale sul chip wafer. Il nostro suscettore è progettato per essere utilizzato come piastra centrale in MOCVD, con un design a forma di ingranaggio o anello. Il prodotto ha un'elevata resistenza al calore e alla corrosione, che lo rende stabile in ambienti estremi.

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Suscettore MOCVD rivestito in SiC

Semicorex è un produttore e fornitore leader di suscettori MOCVD rivestiti in SiC. Il nostro prodotto è appositamente progettato per le industrie dei semiconduttori per far crescere lo strato epitassiale sul chip wafer. Il supporto in grafite rivestita in carburo di silicio ad elevata purezza viene utilizzato come piastra centrale nel MOCVD, con un design a forma di ingranaggio o anello. Il nostro suscettore è ampiamente utilizzato nelle apparecchiature MOCVD, garantendo elevata resistenza al calore e alla corrosione e grande stabilità in ambienti estremi.

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Suscettore in grafite rivestito in SiC per MOCVD

Semicorex è un produttore e fornitore su larga scala di suscettore di grafite rivestito in carburo di silicio in Cina. Ci concentriamo sulle industrie dei semiconduttori come strati di carburo di silicio e semiconduttori epitassia. Il nostro suscettore in grafite rivestito in SiC per MOCVD ha un buon vantaggio in termini di prezzo e copre molti mercati europei e americani. Non vediamo l'ora di diventare il vostro partner a lungo termine.

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Piastra portante in grafite RTP

La piastra portante in grafite RTP di Semicorex è la soluzione perfetta per le applicazioni di elaborazione dei wafer a semiconduttore, inclusa la crescita epitassiale e l'elaborazione della gestione dei wafer. Il nostro prodotto è progettato per offrire resistenza al calore e uniformità termica superiori, garantendo che i suscettori epitassia siano sottoposti all'ambiente di deposizione, con elevata resistenza al calore e alla corrosione.

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Supporto per rivestimento SiC RTP

Il supporto di rivestimento Semicorex RTP SiC offre resistenza al calore e uniformità termica superiori, rendendolo la soluzione perfetta per le applicazioni di lavorazione dei wafer semiconduttori. Grazie alla grafite rivestita in SiC di alta qualità, questo prodotto è progettato per resistere agli ambienti di deposizione più difficili per la crescita epitassiale. L'elevata conduttività termica e le eccellenti proprietà di distribuzione del calore garantiscono prestazioni affidabili per RTA, RTP o pulizie chimiche aggressive.

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Semicorex produce Rivestito in carburo di silicio da molti anni ed è uno dei produttori e fornitori Rivestito in carburo di silicio professionali in Cina. Una volta acquistati i nostri prodotti avanzati e durevoli che forniscono imballaggi sfusi, garantiamo la grande quantità in consegna rapida. Nel corso degli anni, abbiamo fornito ai clienti un servizio personalizzato. I clienti sono soddisfatti dei nostri prodotti e del servizio eccellente. Non vediamo l'ora di diventare il vostro partner commerciale affidabile a lungo termine! Benvenuti a comprare prodotti dalla nostra fabbrica.