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Cina Rivestito in carburo di silicio Produttori, Fornitori, Fabbrica

Il rivestimento SiC è uno strato sottile sul suscettore attraverso il processo di deposizione chimica in fase vapore (CVD). Il materiale in carburo di silicio offre numerosi vantaggi rispetto al silicio, tra cui 10 volte l'intensità del campo elettrico di rottura, 3 volte l'intervallo di banda, che fornisce al materiale resistenza alle alte temperature e agli agenti chimici, eccellente resistenza all'usura e conduttività termica.

Semicorex fornisce un servizio personalizzato, ti aiuta a innovare con componenti che durano più a lungo, riducono i tempi di ciclo e migliorano i rendimenti.

Il rivestimento SiC possiede diversi vantaggi unici

Resistenza alle alte temperature: il suscettore rivestito in SiC CVD può resistere a temperature elevate fino a 1600°C senza subire un significativo degrado termico.

Resistenza chimica: il rivestimento in carburo di silicio offre un'eccellente resistenza a un'ampia gamma di sostanze chimiche, inclusi acidi, alcali e solventi organici.

Resistenza all'usura: il rivestimento SiC fornisce al materiale un'eccellente resistenza all'usura, rendendolo adatto per applicazioni che comportano un'elevata usura.

Conduttività termica: il rivestimento CVD SiC fornisce al materiale un'elevata conduttività termica, rendendolo adatto all'uso in applicazioni ad alta temperatura che richiedono un efficiente trasferimento di calore.

Elevata resistenza e rigidità: il suscettore rivestito in carburo di silicio fornisce al materiale elevata resistenza e rigidità, rendendolo adatto per applicazioni che richiedono elevata resistenza meccanica.

Il rivestimento SiC viene utilizzato in varie applicazioni

Produzione di LED: il suscettore rivestito in SiC CVD viene utilizzato nella produzione di vari tipi di LED, inclusi LED blu e verdi, LED UV e LED UV profondo, grazie alla sua elevata conduttività termica e resistenza chimica.

Supporto per incisione PSS

Suscettore epitassiale LED blu e verde

Suscettore epitassiale LED UV profondo

Comunicazione mobile: il suscettore rivestito in SiC CVD è una parte cruciale dell'HEMT per completare il processo epitassiale GaN-on-SiC.

Portante epitassiale GaN-on-SiC

Suscettore del substrato GaN-on-SiC

Lavorazione dei semiconduttori: il suscettore rivestito in SiC CVD viene utilizzato nell'industria dei semiconduttori per varie applicazioni, tra cui la lavorazione dei wafer e la crescita epitassiale.

Ricevitore a canna

Supporto per incisione ICP

Piastra SiC per processo di incisione ICP

Accettore per MOCVD

Suscettore in silicio monocristallino

Recettore dell'epitassia del carburo di silicio

Componenti in grafite rivestita in SiC

Realizzato in grafite con rivestimento in carburo di silicio (SiC), il rivestimento viene applicato con un metodo CVD a gradi specifici di grafite ad alta densità, in modo che possa funzionare nel forno ad alta temperatura con oltre 3000 °C in atmosfera inerte, 2200 °C sotto vuoto .

Le proprietà speciali e la massa ridotta del materiale consentono velocità di riscaldamento elevate, distribuzione uniforme della temperatura e straordinaria precisione di controllo.

Dati sui materiali del rivestimento Semicorex SiC

Proprietà tipiche	Unità	Valori
Struttura		Fase β dell'FCC
Orientamento	Frazione (%)	111 preferito
Densità apparente	g/cm³	3.21
Durezza	Durezza Vickers	2500
Capacità termica	J kg-1 K-1	640
Espansione termica 100–600 °C (212–1112 °F)	10-6K-1	4.5
Modulo di Young	Gpa (curvatura 4 punti, 1300 ℃)	430
Granulometria	µm	2~10
Temperatura di sublimazione	℃	2700
Forza flessionale	MPa (RT 4 punti)	415
Conduttività termica	(W/mK)	300

Conclusione Il suscettore rivestito in SiC CVD è un materiale composito che combina le proprietà di un suscettore e di carburo di silicio. Questo materiale possiede proprietà uniche, tra cui resistenza alle alte temperature e agli agenti chimici, eccellente resistenza all'usura, elevata conduttività termica ed elevata resistenza e rigidità. Queste proprietà lo rendono un materiale interessante per varie applicazioni ad alta temperatura, tra cui la lavorazione dei semiconduttori, la lavorazione chimica, il trattamento termico, la produzione di celle solari e la produzione di LED.

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Piastra porta satellite MOCVD

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Suscettori epitassia di silicio

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Suscettore SiC per MOCVD

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