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Piastra portante RTP in grafite SiC per MOCVD

La piastra portante RTP in grafite SiC Semicorex per MOCVD offre una resistenza al calore e un'uniformità termica superiori, rendendola la soluzione perfetta per le applicazioni di elaborazione di wafer semiconduttori. Con una grafite rivestita di SiC di alta qualità, questo prodotto è progettato per resistere agli ambienti di deposizione più difficili per la crescita epitassiale. L'elevata conducibilità termica e le eccellenti proprietà di distribuzione del calore garantiscono prestazioni affidabili per RTA, RTP o pulizia chimica aggressiva.

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Carrier RTP per la crescita epitassiale MOCVD

Semicorex RTP Carrier per la crescita epitassiale MOCVD è ideale per applicazioni di elaborazione di wafer semiconduttori, inclusa la crescita epitassiale e l'elaborazione di manipolazione di wafer. I suscettori di grafite di carbonio e i crogioli di quarzo vengono lavorati da MOCVD sulla superficie di grafite, ceramica, ecc. I nostri prodotti hanno un buon vantaggio di prezzo e coprono molti dei mercati europei e americani. Non vediamo l'ora di diventare il vostro partner a lungo termine in Cina.

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Vuoi acquistare Silicon-Epitaxy-RTP-RTA avanzati e durevoli? Semicorex è sicuramente la tua buona scelta. Siamo conosciuti come uno dei produttori e fornitori Silicon-Epitaxy-RTP-RTA più competitivi in Cina. Forniamo anche imballaggi sfusi. Potresti aver bisogno di alcuni servizi personalizzati per soddisfare le effettive esigenze della tua regione, puoi lasciarci un messaggio attraverso le informazioni di contatto sulla pagina web. Diamo il benvenuto sinceramente ai clienti vecchi e nuovi a visitare la nostra fabbrica per la consultazione e la negoziazione.