La piastra portante RTP in grafite SiC Semicorex per MOCVD offre una resistenza al calore e un'uniformità termica superiori, rendendola la soluzione perfetta per le applicazioni di elaborazione di wafer semiconduttori. Con una grafite rivestita di SiC di alta qualità, questo prodotto è progettato per resistere agli ambienti di deposizione più difficili per la crescita epitassiale. L'elevata conducibilità termica e le eccellenti proprietà di distribuzione del calore garantiscono prestazioni affidabili per RTA, RTP o pulizia chimica aggressiva.
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