La piastra portante RTP rivestita in SiC Semicorex per la crescita epitassiale è la soluzione perfetta per le applicazioni di elaborazione dei wafer semiconduttori. Con i suoi suscettori di grafite di carbonio di alta qualità e crogioli di quarzo lavorati da MOCVD sulla superficie di grafite, ceramica, ecc., questo prodotto è ideale per la manipolazione dei wafer e la lavorazione della crescita epitassiale. Il supporto rivestito in SiC garantisce un'elevata conduttività termica ed eccellenti proprietà di distribuzione del calore, rendendolo una scelta affidabile per RTA, RTP o pulizia chimica aggressiva.
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