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Carrier RTP per la crescita epitassiale MOCVD

Semicorex RTP Carrier per la crescita epitassiale MOCVD è ideale per applicazioni di elaborazione di wafer semiconduttori, inclusa la crescita epitassiale e l'elaborazione di manipolazione di wafer. I suscettori di grafite di carbonio e i crogioli di quarzo vengono lavorati da MOCVD sulla superficie di grafite, ceramica, ecc. I nostri prodotti hanno un buon vantaggio di prezzo e coprono molti dei mercati europei e americani. Non vediamo l'ora di diventare il vostro partner a lungo termine in Cina.

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Sistema di incisione al plasma ICP

Il supporto rivestito in SiC di Semicorex per il sistema di incisione al plasma ICP è una soluzione affidabile ed economica per i processi di manipolazione dei wafer ad alta temperatura come epitassia e MOCVD. I nostri supporti sono dotati di un sottile rivestimento in cristallo SiC che fornisce una resistenza al calore superiore, uniformità termica uniforme e resistenza chimica duratura.

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Vuoi acquistare SiC-Coated-Graphite-Carriers-for-Semiconductor avanzati e durevoli? Semicorex è sicuramente la tua buona scelta. Siamo conosciuti come uno dei produttori e fornitori SiC-Coated-Graphite-Carriers-for-Semiconductor più competitivi in Cina. Forniamo anche imballaggi sfusi. Potresti aver bisogno di alcuni servizi personalizzati per soddisfare le effettive esigenze della tua regione, puoi lasciarci un messaggio attraverso le informazioni di contatto sulla pagina web. Diamo il benvenuto sinceramente ai clienti vecchi e nuovi a visitare la nostra fabbrica per la consultazione e la negoziazione.