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Substrato GaN-on-SiC

Substrato GaN-on-SiC

Suscettore di grafite Semicorex progettato specificamente per apparecchiature epitassia con elevata resistenza al calore e alla corrosione in Cina. I nostri suscettori di substrato GaN-on-SiC hanno un buon vantaggio di prezzo e coprono molti dei mercati europei e americani. Non vediamo l'ora di diventare il vostro partner a lungo termine in Cina.

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Suscettori per reattori MOCVD

Suscettori per reattori MOCVD

I suscettori Semicorex per i reattori MOCVD sono prodotti di alta qualità utilizzati nell'industria dei semiconduttori per varie applicazioni come strati di carburo di silicio e semiconduttori epitassici. Il nostro prodotto è disponibile in forma di ingranaggio o anello ed è progettato per ottenere una resistenza all'ossidazione ad alta temperatura, rendendolo stabile a temperature fino a 1600°C.

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Vuoi acquistare Gan-On-SiC-Hemt avanzati e durevoli? Semicorex è sicuramente la tua buona scelta. Siamo conosciuti come uno dei produttori e fornitori Gan-On-SiC-Hemt più competitivi in ​​Cina. Forniamo anche imballaggi sfusi. Potresti aver bisogno di alcuni servizi personalizzati per soddisfare le effettive esigenze della tua regione, puoi lasciarci un messaggio attraverso le informazioni di contatto sulla pagina web. Diamo il benvenuto sinceramente ai clienti vecchi e nuovi a visitare la nostra fabbrica per la consultazione e la negoziazione.
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