La terza generazione di materiali semiconduttori AlN appartiene al semiconduttore con bandgap diretto, la sua larghezza di banda di 6,2 eV, con elevata conduttività termica, resistività, intensità del campo di rottura, nonché eccellente stabilità chimica e termica, non è solo un importante luce blu,......
Per saperne di piùNel campo della fabbricazione di dispositivi a semiconduttore, il controllo preciso della crescita dei cristalli è fondamentale per ottenere dispositivi affidabili e di alta qualità. Una tecnica che ha svolto un ruolo fondamentale in questo settore è l’epitassia in fase liquida (LPE).
Per saperne di piùLo sviluppo di LED blu e UV ad alta potenza ha consentito la creazione di display TV LED a colori, nonché illuminazione domestica e automobilistica a LED bianco. Questi LED sono basati sul nitruro di gallio, che viene depositato su wafer di substrato supportati da suscettore di grafite rivestito in ......
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