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Substrato GaN-on-SiC

Substrato GaN-on-SiC

Suscettore di grafite Semicorex progettato specificamente per apparecchiature epitassia con elevata resistenza al calore e alla corrosione in Cina. I nostri suscettori di substrato GaN-on-SiC hanno un buon vantaggio di prezzo e coprono molti dei mercati europei e americani. Non vediamo l'ora di diventare il vostro partner a lungo termine in Cina.

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Piastra portasatellite MOCVD

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Semicorex MOCVD Satellite Holder Plate è un supporto eccezionale progettato per l'uso nell'industria dei semiconduttori. La sua elevata purezza, l'eccellente resistenza alla corrosione e persino il profilo termico lo rendono una scelta eccellente per coloro che cercano un supporto in grado di resistere alle esigenze del processo di produzione dei semiconduttori. Ci impegniamo a fornire ai nostri clienti prodotti di alta qualità che soddisfino le loro esigenze specifiche. Contattateci oggi per saperne di più sulla nostra piastra portasatellite MOCVD e su come possiamo aiutarvi con le vostre esigenze di produzione di semiconduttori.

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Vuoi acquistare Gan-On-Sic-Epitaxial-Growth avanzati e durevoli? Semicorex è sicuramente la tua buona scelta. Siamo conosciuti come uno dei produttori e fornitori Gan-On-Sic-Epitaxial-Growth più competitivi in ​​Cina. Forniamo anche imballaggi sfusi. Potresti aver bisogno di alcuni servizi personalizzati per soddisfare le effettive esigenze della tua regione, puoi lasciarci un messaggio attraverso le informazioni di contatto sulla pagina web. Diamo il benvenuto sinceramente ai clienti vecchi e nuovi a visitare la nostra fabbrica per la consultazione e la negoziazione.
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