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Soffione doccia CVD SiC

Il soffione doccia Semicorex CVD SiC è un componente principale utilizzato nelle apparecchiature di incisione dei semiconduttori, che funge sia da elettrodo che da condotto per i gas di incisione. Scegli Semicorex per il controllo superiore dei materiali, la tecnologia di elaborazione avanzata e le prestazioni affidabili e di lunga durata nelle applicazioni più impegnative dei semiconduttori.*

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Soffione doccia metallico

Il soffione metallico, noto come piastra di distribuzione del gas o soffione per gas, è un componente critico ampiamente utilizzato nei processi di produzione di semiconduttori. La sua funzione primaria è quella di distribuire uniformemente i gas in una camera di reazione, garantendo che i materiali semiconduttori entrino in contatto uniforme con il processo gas.**

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Guarnizione Ceramica SiC Part

La parte di tenuta in ceramica Semicorex SiC è una testimonianza di scienza dei materiali e abilità ingegneristiche all'avanguardia, progettata per soddisfare le esigenti richieste di applicazioni di tenuta meccanica ad alte prestazioni in una varietà di settori.**

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Riscaldatore MOCVD

Il riscaldatore MOCVD di Semicorex è un componente altamente avanzato e meticolosamente progettato che offre numerosi vantaggi, tra cui eccezionale purezza chimica, efficienza termica, conduttività elettrica, elevata emissività, resistenza alla corrosione, inossidabilità e resistenza meccanica.**

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Ricevitore MOCVD 3x2''

Il susceptor Semicorex MOCVD 3x2’’ sviluppato da Semicorex rappresenta l’apice dell’innovazione e dell’eccellenza ingegneristica, appositamente studiato per soddisfare le complesse esigenze dei processi di produzione contemporanei dei semiconduttori.**

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Suscettore wafer con rivestimento TaC

Semicorex TaC Coating Wafer Susceptor è un vassoio in grafite rivestito con carburo di tantalio, utilizzato nella crescita epitassiale del carburo di silicio per migliorare la qualità e le prestazioni del wafer. Scegli Semicorex per la sua tecnologia di rivestimento avanzata e soluzioni durevoli che garantiscono risultati di epitassia SiC superiori e una maggiore durata del suscettore.*

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