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Informazioni sui difetti nei cristalli SiC - Micropipe

Il substrato SiC può presentare difetti microscopici, come la dislocazione della vite filettata (TSD), la dislocazione del bordo filettato (TED), la dislocazione del piano base (BPD) e altri. Questi difetti sono causati da deviazioni nella disposizione degli atomi a livello atomico. I cristalli di S......

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Perché scegliere il metodo epitassia in fase liquida?

Rispetto al metodo PVT, il metodo in fase liquida per la crescita del SiC presenta i seguenti vantaggi:

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Cos'è l'epitassia in fase liquida?

Il metodo in fase liquida è più vicino alle condizioni di equilibrio termodinamico ed è in grado di far crescere cristalli di SiC con una qualità migliore.

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Rivestimento TaC

Secondo i risultati della ricerca, il rivestimento TaC può fungere da strato di protezione e isolamento per prolungare la durata dei componenti in grafite, migliorare l'uniformità della temperatura radiale, mantenere la stechiometria della sublimazione del SiC, sopprimere la migrazione delle impurit......

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Cos'è il processo CVD nei semiconduttori?

La deposizione chimica da vapore CVD si riferisce all'introduzione di due o più materie prime gassose in una camera di reazione in condizioni di vuoto e alta temperatura, dove le materie prime gassose reagiscono tra loro per formare un nuovo materiale, che viene depositato sulla superficie del wafer......

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Panoramica sullo sviluppo del settore fotovoltaico

Entro il 2027, il solare fotovoltaico (PV) supererà il carbone come maggiore capacità installata al mondo. Secondo le nostre previsioni, la capacità installata cumulativa del solare fotovoltaico quasi triplica, crescendo di quasi 1.500 gigawatt in questo periodo, e supererà il gas naturale entro il ......

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