Con l’aumento graduale dell’accettazione globale dei veicoli elettrici, il carburo di silicio (SiC) incontrerà nuove opportunità di crescita nel prossimo decennio. Si prevede che i produttori di semiconduttori di potenza e gli operatori dell’industria automobilistica parteciperanno più attivamente a......
Per saperne di piùEssendo un materiale semiconduttore a banda larga (WBG), la più ampia differenza di energia del SiC gli conferisce proprietà termiche ed elettroniche più elevate rispetto al Si tradizionale. Questa funzionalità consente ai dispositivi di potenza di funzionare a temperature, frequenze e tensioni più ......
Per saperne di piùIl carburo di silicio (SiC) svolge un ruolo importante nella produzione di elettronica di potenza e dispositivi ad alta frequenza grazie alle sue eccellenti proprietà elettriche e termiche. La qualità e il livello di drogaggio dei cristalli SiC influiscono direttamente sulle prestazioni del disposit......
Per saperne di piùNel processo di crescita dei singoli cristalli di SiC e AlN mediante il metodo del trasporto fisico del vapore (PVT), componenti come il crogiolo, il supporto del seme del cristallo e l'anello di guida svolgono un ruolo fondamentale. Durante il processo di preparazione del SiC, il seme cristallino s......
Per saperne di piùIl materiale del substrato SiC è il nucleo del chip SiC. Il processo di produzione del substrato è: dopo aver ottenuto il lingotto di cristallo SiC attraverso la crescita del singolo cristallo; quindi la preparazione del substrato SiC richiede levigatura, arrotondamento, taglio, molatura (assottigli......
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