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La grafite con rivestimento TaC viene creata rivestendo la superficie di un substrato di grafite ad elevata purezza con uno strato sottile di carburo di tantalio mediante un processo proprietario di deposizione chimica in fase vapore (CVD).



Il carburo di tantalio (TaC) è un composto costituito da tantalio e carbonio. Ha una conduttività elettrica metallica e un punto di fusione eccezionalmente alto, che lo rendono un materiale ceramico refrattario noto per la sua robustezza, durezza e resistenza al calore e all'usura. Il punto di fusione dei carburi di tantalio raggiunge il picco a circa 3880°C a seconda della purezza e ha uno dei punti di fusione più alti tra i composti binari. Ciò lo rende un'alternativa interessante quando le richieste di temperature più elevate superano le capacità prestazionali utilizzate nei processi epitassiali di semiconduttori composti come MOCVD e LPE.


Dati sui materiali del rivestimento Semicorex TaC

Progetti

Parametri

Densità

14,3 (gr/cm³)

Emissività

0.3

CET (×10-6/K)

6.3

Durezza (HK)

2000

Resistenza (Ohm-cm)

1×10-5

Stabilità termica

<2500 ℃

Modifica della dimensione della grafite

-10~-20um (valore di riferimento)

Spessore del rivestimento

Valore tipico ≥20um (35um±10um)



Quelli sopra riportati sono valori tipici




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Suscettore wafer rivestito in TaC

Suscettore wafer rivestito in TaC

Il suscettore wafer rivestito in TaC Semicorex è un componente cruciale utilizzato nei forni MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition) per la lavorazione epitassiale (epi) dei semiconduttori. Semicorex si impegna a fornire prodotti di qualità a prezzi competitivi, non vediamo l'ora di diventare il vostro partner a lungo termine in Cina.

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Piastra rivestita in carburo di tantalio TaC

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Anello guida rivestito in TaC

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Suscettore in grafite rivestito in TaC

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Parti in grafite rivestite in carburo di tantalio

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Ricevitore in grafite rivestito in carburo di tantalio

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