La ceramica al carburo di silicio (SiC) è un tipo di materiale ceramico avanzato noto per le sue eccezionali proprietà e l'ampia gamma di applicazioni. È composto da atomi di silicio (Si) e carbonio (C) disposti in una struttura a reticolo cristallino, che si traduce in un materiale duro e resistent......
Per saperne di piùUn wafer di carburo di silicio (SiC) di tipo P è un substrato semiconduttore drogato con impurità per creare una conduttività di tipo P (positiva). Il carburo di silicio è un materiale semiconduttore ad ampia banda proibita che offre eccezionali proprietà elettriche e termiche, rendendolo adatto a d......
Per saperne di piùIl suscettore di grafite è una delle parti essenziali dell'apparecchiatura MOCVD, è il supporto e il riscaldatore del substrato del wafer. Le sue proprietà di stabilità termica e uniformità termica giocano un ruolo decisivo nella qualità della crescita epitassiale del wafer, che determina direttamen......
Per saperne di piùNel campo dell'alta tensione, in particolare per i dispositivi ad alta tensione superiori a 20.000 V, la tecnologia epitassiale SiC deve ancora affrontare diverse sfide. Una delle principali difficoltà è ottenere un'elevata uniformità, spessore e concentrazione di drogaggio nello strato epitassiale.......
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